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面阵短波红外相机可以直接检测缺陷及杂质
点击次数:1368 更新时间:2022-11-08
面阵短波红外相机可以用来检测纯半导体材料的质量(通常是硅锭的生长)。此外,切割成晶片的硅锭和晶片成品,也可以用类似的方法检测缺陷或裂纹。然后将晶片加工成光电子元器件或其他半导体器件。在切割晶圆成为单芯片的加工过程中,对于锯片和激光校准来说,它依旧是目前应用的主流方案。
红外成像产品特点:
1、产品线齐全:谱段包括可见光、近红外、短波、、长波;同时具有线阵和面阵相机;
2、多种制冷方式:热电温差制冷,空气压缩制冷,水制冷,sterling制冷,深度液氮制冷;
3、高速红外相机,最高可达1700fps,最短曝光时间80ns;
4、市面上体积最小的、极紧凑型短波红外相机;
5、宽温设计:可在-40℃~+70℃环境下使用;
6、具有ROI提高帧速功能;
7、具有ITR和IWR两种数据读出方式;
目前已经广泛应用于半导体工业中的晶体硅硅锭或硅砖检测。使用一台红外相机,配合发射波长在1150nm波段的光源,很轻易的就可以进行硅锭或硅砖的内部杂志和结构的检测。这是因为这种半导体材料不吸收能量低、相对波长更长的短波红外光子,而可见光光子则因具有更高的能量和相对更短的波长被Si材料吸收,无法透过。这使得使用短波红外相成为了半导体检测的优良检测工具,可以直接检测缺陷、杂质、孔洞或夹杂。
当硅锭进一步加工成为晶片时,硅锭中的杂质会对生产设备造成损害。通过短波红外相机的检测,则可以有效避免类似的问题,从而确保更高的生产效率。使用短波红外相机成像的方式,来检测半导体晶片和集成电路芯片的缺陷,将会起到事半功倍的效果。Si材料是目前zui常用的半导体材料,而砷化镓(GaAs)探测器又能够探测到穿过Si材料的短波红外波段,因此短波红外相机为半导体检测提供了一种无损的检测方式,大大地提高了检测效率,改进了生产过程。